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元件参数资料
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参数目录50019
> BSH121,135 MOSFET N-CH 55V 300MA SOT323
型号:
BSH121,135
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
NXP Semiconductors
描述:
MOSFET N-CH 55V 300MA SOT323
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
BSH121,135 PDF
标准包装
10,000
系列
TrenchMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
300mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
5 欧姆 @ 75mA,2.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
1nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds
40pF @ 10V
功率 - 最大
700mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-70,SOT-323
供应商设备封装
SC-70
包装
带卷 (TR)
其它名称
934056037135
BSH121 /T3
BSH121 /T3-ND
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